V tomto týdnu se konal 4G/5G summit v Hong Kongu. Společnost Qualcomm na něm představila nový mobilní čipset Snapdragon 675 a závazky v rozšiřování 5G sítí, Samsung překvapivě odhalil své plány v oblasti paměťových čipů pro mobilní zařízení.
Větší a rychlejší úložiště
Už příští rok bychom se měli dočkat nových UFS 3.0 pamětí. Díky pokroku ve výrobě 3D NAND bylo možné zvýšit hustotu úložiště při zachování stejných rozměrů, nové paměti mají mít navíc dvojnásobnou šířku pásma. Nové čipy budou nabízeny v kapacitách 128, 256 a 512 GB, vyšší kapacity mají dorazit až později; s 1 TB se počítá až v roce 2021. V příštím roce už se ale pravděpodobně nebudeme u dražších modelů setkávat s 64GB úložišti.
Efektivnější RAM
Samsung také ukázal, co nového chystá v oblasti operačních pamětí. V roce 2020 by měl představit nové LPDDR5 paměti, které nabídnou výrazně větší šířku pásma; ze současných cca 25GB/s naroste až na 51,2 GB/s. O 20 procent se má také zvýšit energetická účinnost.
