Korejský gigant Samsung se pochlubil novým rekordem – jako první představil mobilní paměťový čip s kapacitou 1 TB. Jedná se o rychlou paměť typu eUFS 2.1, kterou najdeme nejvyšší variantě smartphonu Galaxy S10+.
Nový čip je fyzicky stejně velký jako jeho 512GB předchůdce, má rozměry 11,5 × 13 mm. Dvojnásobné kapacity Samsung dosáhl díky kombinaci šestnácti V-NAND vrstev a nového řadiče. Samsung se navíc chlubí zrychlením pamětí – sekvenční čtení může dosahovat rychlosti až 1 000 MB/s, sekvenční zápis zvládá rychlostí 255 MB/s. Až o 38 procent došlo ke zrychlení při čtení a zápisu náhodných dat.
| Paměť | Sekvenční čtení | Sekvenční zápis | Náhodné čtení | Náhodný zápis |
| 1TB eUFS 2.1 | 1000 MB/s | 260 MB/s | 58,000 IOPS | 50,000 IOPS |
| 512GB eUFS 2.1 | 860 MB/s | 255 MB/s | 42,000 IOPS | 40.000 IOPS |
| 256GB UFS Card | 530 MB/s | 170 MB/s | 40,0000 IOPS | 35.000 IOPS |
| 256 eUFS 2.0 | 850 MB/s | 260 MB/s | 45,000 IOPS | 40,000 IOPS |
| 128GB eUFS 2.0 | 300 MB/s | 150 MB/s | 19,000 IOPS | 14,000 IOPS |
Jakub Karásek
Příznivec mobilních technologií, konvertibilních zařízení a bezdrátového nabíjení, fanoušek tvrdé hudby a milovník rychlé jízdy v motokárách, na kole a na lyžích. Odpůrce FUPu, pomalého internetu a přerostlých smartphonů.