TOPlist

První benchmarky Snapdragonu 8 Gen 2 jsou venku. Posun kupředu je znatelný

Čipstet Qualcomm Snapdragon

Minulý týden spatřil světlo světa výkonný čipset Snapdragon 8 Gen 2, který se bude u příští generace vlajkových smartphonů s Androidem přetahovat o první místo s Dimensity 9200 od MediaTeku. Qualcomm se v tiskové zprávě pochlubil spoustou vylepšení a posílením výkonu i efektivity, ale reálný posun kupředu ukáží až první smartphony. Než se jich dočkáme, můžeme se podívat na výsledky benchmarků provedené na neprodejném referenčním telefonu přímo od Qualcommu.

Testy provedla redakce Android Authority přímo na technologickém summitu Qualcommu, který se odehrál minulý týden na Havaji. Testovací zařízení se chlubilo paměťovou konfigurací 12/256 GB. Snapdragon 8 Gen 2 svého přímého předchůdce překonal jak ve výpočetním, tak i v grafickém výkonu. Rozdíly oproti Snapdragonu 8+ Gen 1 běžícímu ve OnePlus 10T jsou následující:

Benchmark Snapdragon 8+ Gen 1
(OnePlus 10T)
Snapdragon 8 Gen 2 (referenční zařízení) Rozdíl
Geekbench 5 – jedno jádro 1 039 1 489 +30%
Geekbench 5 – všechna jádra 3 419 5 178 +34%
PCMark – Systém 12 224 18 500 +34%
3D Mark – GPU 10 391 13 596 +24%

Nárůst výkonu je skutečně působivý, avšak nemusí plně odrážet skutečnost – loňský referenční telefon od Qualcommu se Snapdragonem 8 Gen 1 například vykazoval vyšší čísla, než jsme nakonec viděli u komerčně dostupných zařízení. Navíc si jednotliví výrobci smartphonů mohou s výkonem čipsetu pohrát – spekuluje se například, že Samsung Galaxy S23 Ultra dostane silnější variantu.

Zmíněný server srovnal výkon nového SoC i s Apple A16 Bionic, avšak to je vlivem odlišné softwarové platformy poněkud ošemetné – zatímco v benchmarcích PCMark a 3DMark nový Snapdragon jasně vyhrál, v Geekbench 5 jej poráží poslední dvě generace jablečných čipsetů.

Autor článku Jakub Karásek
Jakub Karásek
Příznivec mobilních technologií, konvertibilních zařízení a bezdrátového nabíjení, fanoušek tvrdé hudby a milovník rychlé jízdy v motokárách, na kole a na lyžích.

Kapitoly článku