Výdrž baterie je pro chytré telefony už delší dobu Achillovou patou. Ačkoli v mnoha odvětvích dosáhl technologický pokrok nebývalých rozměrů, v případě akumulátorů stále přešlapujeme na místě. Výrobci se proto soustředí na nabíjecí výkon, který u některých smartphonů dosahuje až 120 W, přičemž na této hodnotě se telefony určitě nezastaví. Vzhledem k nepříznivému vlivu vysokého nabíjecího výkonu na životnost baterie ale některé společnosti hledají alternativní způsoby, jak uživatelům zpříjemnit používání chytrého telefonu.
ℹ️ Stačí jeden klik! Přidejte si nás mezi mezi preferované weby, případně nás sledujte v Google Zprávách, nebo na Seznam.cz
Korejský gigant Samsung proto spojil síly s IBM a přišel s odvážným tvrzením – jeho budoucí chytré telefony by mohly vydržet až týden na jedno nabití, což jsme naposledy zažili ještě v éře tlačítkových telefonů. Zajímavé je, jak této výdrže chce dosáhnout, neboť novou technologií výroby baterie to není.
Ono kouzlo se ukrývá ve zkratce VTFET – Vertical Transport Field Effect Transistors, za kterou stojí společnost IBM a Samsung. Ve své podstatě se jedná o nový způsob rozložení tranzistorů; zatímco v aktuálně používaných metodách jsou tranzistory rozloženy horizontálně, pokroky v miniaturizaci postupně umožňují jejich umisťování vertikálně.
Vertikální umístění tranzistorů sníží energetické nároky
Právě v umístění tranzistorů se ukrývá největší úspora energie. Díky vertikálnímu umístění mohou být tranzistory mnohem efektivnější, od čehož si Samsung slibuje až 85% úsporu energie. Prohlášení korejského giganta o týdenní výdrži je ale potřeba brát s rezervou; teoretické hodnoty výdrže baterie se značně liší od skutečného používání, které nelze v laboratořích spolehlivě nasimulovat. Samsung bohužel nezmínil, kdy se čipů vyrobených pomocí VTFET dočkáme, doufáme však, že se tak stane co nejdříve.
