Samsung vyvinul 8Gb LPDDR4 paměť typu DRAM pro mobilní zařízení

Samsung představil první 8Gb (gigabit) mobilní paměť DRAM s nízkou spotřebou energie LPDDR4 (low power double data rate 4). Díky svým vlastnostem, jako je vyšší hustota paměti, vysoký výkon a energetická úspornost, mají mobilní paměti umožnit uživatelům využívat pokročilé aplikace rychleji a plynuleji, a to i v případě vysokého rozlišení displeje, kdy má dojít k menší spotřebě baterie než tomu bylo doposud. 

Nové mobilní paměti s kapacitou 8Gb jsou vyráběny 20nm výrobní technologií a na jednom čipu nabízí kapacitu 1 GB (gigabajt), což je momentálně největší hustota DRAM pamětí. Se čtyřmi čipy, každý s kapacitou 8 Gb, poskytne jedno pouzdro 4 GB LPDDR4.

Kromě toho LPDDR4 používá nízkonapěťové Low Voltage Swing Terminated Logic (LVSTL) I/O rozhraní, které Samsung původně navrhl pro organizaci JEDEC. Nové čipy dosahují přenosové rychlosti až 3 200 Mb/s, což je dvojnásobek rychlosti současně vyráběných DRAM LPDDR3. Zároveň však spotřebuje přibližně o 40 % méně energie při napětí 1,1 V. 

S novým čipem se společnost Samsung plánuje zaměřit nejen na prémiový mobilní trh, včetně UHD smartphonů s velkým displejem, ale také na tablety a ultra-slim notebooky, které nabízejí zobrazení čtyřikrát vyšší než Full HD rozlišení, a také na vysoce výkonné síťové systémy. 8Gb mobilní DRAM čipy by se měly v průběhu tohoto roku začít rozšiřovat na trhu s mobilními zařízeními tzv. nové generace, které budou využívat vysokokapacitní DRAM moduly.