Výdrž baterie je pro chytré telefony už delší dobu Achillovou patou. Ačkoli v mnoha odvětvích dosáhl technologický pokrok nebývalých rozměrů, v případě akumulátorů stále přešlapujeme na místě. Výrobci se proto soustředí na nabíjecí výkon, který u některých smartphonů dosahuje až 120 W, přičemž na této hodnotě se telefony určitě nezastaví. Vzhledem k nepříznivému vlivu vysokého nabíjecího výkonu na životnost baterie ale některé společnosti hledají alternativní způsoby, jak uživatelům zpříjemnit používání chytrého telefonu.
Korejský gigant Samsung proto spojil síly s IBM a přišel s odvážným tvrzením – jeho budoucí chytré telefony by mohly vydržet až týden na jedno nabití, což jsme naposledy zažili ještě v éře tlačítkových telefonů. Zajímavé je, jak této výdrže chce dosáhnout, neboť novou technologií výroby baterie to není.
Ono kouzlo se ukrývá ve zkratce VTFET – Vertical Transport Field Effect Transistors, za kterou stojí společnost IBM a Samsung. Ve své podstatě se jedná o nový způsob rozložení tranzistorů; zatímco v aktuálně používaných metodách jsou tranzistory rozloženy horizontálně, pokroky v miniaturizaci postupně umožňují jejich umisťování vertikálně.
Vertikální umístění tranzistorů sníží energetické nároky
Právě v umístění tranzistorů se ukrývá největší úspora energie. Díky vertikálnímu umístění mohou být tranzistory mnohem efektivnější, od čehož si Samsung slibuje až 85% úsporu energie. Prohlášení korejského giganta o týdenní výdrži je ale potřeba brát s rezervou; teoretické hodnoty výdrže baterie se značně liší od skutečného používání, které nelze v laboratořích spolehlivě nasimulovat. Samsung bohužel nezmínil, kdy se čipů vyrobených pomocí VTFET dočkáme, doufáme však, že se tak stane co nejdříve.
