Připravovaný Samsung Galaxy S9 má být podle @evleaks pouze evolucí letošního modelu, přesto by mohl přinést spoustu vylepšení na všech frontách – rámečky kolem displeje mají být tenčí, čtečka otisků prstů lépe umístěná, fotoaparát má nabídnout rekordní světelnost f/1.5 a vyšší má být i samotný výkon. Kromě toho bychom se mohli dočkat výrazně vyšší kapacity vnitřního úložiště.
Korejský gigant totiž včera oznámil zahájení masové výroby paměťových čipů eUFS s kapacitou 512 GB. Tyto čipy si mají ponechat stejnou fyzickou velikost jako současné 256GB modely, vyšší kapacita je dosažena díky většímu množství (celkem 64) tenčích vrstev. Na nové 512GB čipy je možné uložit až 21 hodin videa ve 4K rozlišení (130 desetiminutových klipů).
Rychlost nových čipů je srovnatelná s předchozí generací – při náhodném čtení je to 42 tisíc input/output operací za vteřinu, při náhodném zápisu 40 tisíc operací za vteřinu. Při práci se soubory lze dosáhnout rychlostí až 860 MB/s při čtení a 255 MB/s při zápisu. 5GB soubor je tak možné na nové paměti přenést za cca 6 vteřin, což je až 8× rychleji než na běžnou microSD kartu.
Technologie | Náhodné čtení (IOPS) | Náhodný zápis (IOPS) |
Samsung 512GB eUFS | 42,000 | 40,000 |
Samsung 256GB eUFS | 45,000 | 40,000 |
SD A2 | 4,000 | 2,000 |
SD A1 | 1,500 | 500 |
Samsung v tiskové zprávě uvádí, že nové čipy jsou připraveny zejména pro budoucí vlajkové smarpthony a tablety; jsme zvědaví, zda z nich budou těžit již zmíněné připravované modely Galaxy S9 a S9+.