Nově představený smartphone Samsung Galaxy S7 (edge) se u nás bude prodávat pouze ve variantě s 32GB pamětí, nicméně Samsung umí vyrobit mobilní paměťový čip i s osminásobnou kapacitou. Korejský výrobce se 256GB flash pamětí typu UFS 2.0 pochlubil na svém blogu s tím, že právě zahajuje masovou výrobu.
Paměti se mají pyšnit velkými rychlostmi přenosů, údajně až dvakrát většími než v případě běžných počítačových SSD připojených přes rozhraní SATA, Samsung při výrobě použil novou generaci V-NAND čipů. Zatímco předchozí generace UFS pamětí zvládala 19 000 výstupních a 14 000 vstupních operací za vteřinu, nová generace zvládá 45 000 výstupních a 40 000 vstupních operací za vteřinu. Při sekvenčním čtení tak může docházet k rychlosti až 850 MB/s, zápis pak může běžet rychlostí 250 MB/s.
Nové paměti mají najít využití při nahrávání a ukládání videa ve vysokém rozlišení, u zařízení s podporou rozhraní USB 3.0 může přenos 90minutového Full HD videa (asi 5 GB) trvat pouze 12 vteřin. I přes tato působivá čísla mají být nové paměti rozměrově menší než běžné karty microSD. Zbývá tedy počkat, která zařízení přijdou s 256GB pamětí; první by mohl být například Samsung Galaxy Note 6 nebo iPhone 7.
