Před týdnem představila americká společnost Qualcomm novinky, s nimiž se budeme ve smartphonech setkávat příští rok (více informací). Firma se pouze pochlubila, že je procesor Snapdragon 835 o 30 % efektivnější a o 20 % rychlejší – vesměs se tak jednalo jen o marketingové „řečičky“. Na čínském webu anzhuo.cn se však objevily podrobnější informace o ultravýkonném Snapdragonu 835 a jeho slabším bráškovi Snapdragonu 660.
Snapdragon 835: výkonné monstrum
Z dostupných informací vyplývá, že bude Snapdragon 835 založen na architektuře Kryo 200 a nabídne až 8 fyzických jader – čtyři budou moci tikat o maximální frekvenci 1,9 GHz a další čtveřice bude nataktována na maximálně 2,2 GHz. Výpočetním jádrům bude sekundovat grafický čip Adreno 540 a v neposlední řadě se bude v pouzdru ukrývat moderní LTE modem X16. Pro srovnání, letošní nejvýkonnější procesor Snapdragon 820 vyrobený 14nm procesem nabídl „pouze“ čtyři Kryo jádra (2 výkonná a 2 úsporná), grafický čip Adreno 530 a LTE modem X12.
Kromě výše zmíněného nabídne nový typ LTE modemu download Cat. 16, což zmanená rychlost stahování až 1 000 Mbit/s, a upload Cat. 13 s rychlostí nahrávání až 150 Mbit/s. Čipset bude navíc podporovat čtyřkanálové operační paměti LPDDR4X-1866 s čipy UFS2.1.
Snapdragon 660: zástupce střední třídy
Podrobnější informace víme i o Snapdragonu 660, jakožto zástupci střední třídy, který má nahradit Snapdragon 652. Zatímco model 835 bude vyroben pokročilým 10nm výrobním procesem, Snapdragon 660 bude vyráběn starším 14nm FinFET LPP procesem. Uvnitř pouzdra se bude nacházet čtveřice výkonných jader o maximální frekvenci 2,2 GHz a čtveřice úsporných jader s maximální frekvencí 1,9 GHz. O běh grafiky se postará čip Adreno 512 a příjem LTE zajistí modem X10. Čipset taktéž podporuje dvoukanálové paměti LPDDR4X-1866 s čipy UFS2.1.
Můžeme konstatovat, že příští rok bude rozhodně zajímavý a mezi prvními telefony s tímto novým „trhačem asfaltu“ by mohl být Galaxy S8 od Samsungu.
