O posledním vlajkovém čipu společnosti Qualcomm, Snapdragonu 810, se píše nejčastěji v souvislosti s jeho přehříváním, ještě letos by však měl přijít jeho nástupce, o jehož výrobu se postará korejský Samsung. Snapdragon 820 bude vyráběn 14nm FinFET procesem, což má mít za následek vyšší výkon a nižší energetickou náročnost, efektivnější práce čipsetu by navíc měla zamezit nadměrnému přehřívání.
Snapdragon 820, jehož procesorovou jednotku má tvořit osm 64bitových jader s taktem 3.0 GHz, se nyní objevil v databázi benchmarku Geekbench. V single-core testu získal 1 732 bodů, v multi-core pak 4 970 bodů. Ve výkonu jednoho jádra tak o 246 bodů porazil jak Exynos 7420, který pohání Samsung Galaxy S6 (edge), tak i Snapdragon 810, na něj má náskok 505 bodů. Ve výkonu všech jader už tak výhra jednoznačná není, nový čip je sice o 546 bodů poráží svého předchůdce Snapdragon 810, ovšem k vyrovnání Exynosu 7420 mu ještě 314 bodů chybí.
Qualcomm Snapdragon 820 a jeho soupeři – Exynos 5240 a Snapdragon 810
I přesto bude nejspíše Snapdragon 820 důkazem, že Samsung výkonné čipy vyrábět umí. Mezi první výrobce, kteří nový Snapdragon ve svých telefonech použijí, mají patřit HTC, Sony a Xiaomi. První plody by měly spadnout ze stromu nových zařízení již na letošní podzim.
