Vývoj polovodičových součástek je stále složitější disciplínou, která trápí všechny přední výrobce. Neustálá miniaturizace s sebou přináší nové výzvy v podobě fyzikálních limitů použitých materiálů. Ještě před necelým rokem Intel avizoval, že 10nm čipy se stanou poslední kapitolou, na kterou lze navázat pouze s použitím nových prvků. Na tuto problematiku se zaměřilo konsorcium vedené společností IBM v doprovodu jihokorejského Samsungu a GlobalFoundries.
Po několikaletém výzkumu a masivních investicích se této skupině podařilo vyrobit první vzorky 7nm čipů. Klíčem k úspěchu se staly wafery využívající směsy křemíku a germania. Germanid křemíku (SiGe) je v produkci integrovaných obvodů stále populárnější, jelikož dovoluje spolehlivou výrobu tranzistorů s vysokou rychlostí přenosu signálu. Prezentované prototypy si ke svému vzniku vyžádaly mnoho nových postupů a to včetně opakované expozice s extrémním ultrafialovým zářením.
Aktuálně nejvyspělejší čipy jsou založené na 14nm architektuře v čele s mobilním procesorem Exynos 7420 od Samsungu, který se poprvé objevil v modelu Samsung Galaxy S6. Další metou se stanou 10nm procesory, jejichž masová produkce má odstartovat začátkem příštího roku a komerční integrací na sklonku 2016. Co se týče nasazení 7nm technologie, tak v tomto případě se můžeme bavit o výhledu do budoucnosti vzdálené několik let. Aktuální predikce kalkulují s rokem 2018, ovšem do této doby se můžeme dočkat zcela nových řešení.
